[发明专利]立式热处理装置及热处理方法有效
申请号: | 200980131526.0 | 申请日: | 2009-07-21 |
公开(公告)号: | CN102124547A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 小林武史 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/22;H01L21/31 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郭晓东;马少东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种立式热处理装置,至少具备:反应管;用以保持基板的热处理用晶舟;用以加热基板的加热器;用以将环境气体导入反应管内的气体导入管;与气体导入管连接的气体供给管;形成在反应管下方所设置的凸缘体或反应管上且被气体导入管插通的进气口部;其特征在于:气体导入管与气体供给管的连接是在反应管外经由接头而进行的,该接头具有至少配备有凸缘部的金属制短管,该金属制短管的凸缘部经由O型环与设置于进气口部的凸缘部连接,由此连接形成的贯穿孔,其被气体导入管插通,并利用接头来连接气体供给管。由此,能提供一种不会在基板上产生模糊不清,能防止气体导入管的破损且能容易地将气体导入管与气体供给管连接的立式热处理装置。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种立式热处理装置,至少具备:反应管;热处理用晶舟,其被配置在该反应管内,用以保持基板;加热器,其用以加热所述基板;气体导入管,其用以将环境气体导入所述反应管内;气体供给管,其与所述气体导入管连接;进气口部,其形成在所述反应管下方所设置的凸缘体或所述反应管上,且被所述气体导入管插通;其特征在于,所述气体导入管与所述气体供给管的连接是在所述反应管外经由接头而进行的,该接头具有至少配备有凸缘部的金属制短管,该金属制短管的凸缘部经由O型环与设置于所述进气口部的凸缘部连接,并且,所述气体导入管插通由所述金属制短管连接所述进气口部形成的贯穿孔,并利用所述接头与所述气体供给管连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体股份有限公司,未经信越半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980131526.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于金属互连的共形粘附促进衬垫
- 下一篇:丙烯酸酯橡胶
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造