[发明专利]在基板中进行多重注入的方法有效
| 申请号： | 200980130382.7 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102113112A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·西格纳玛谢克斯;克里斯特尔·德古特;弗雷德里克·马泽恩 | 申请（专利权）人： | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在基板中注入原子和/或离子的方法，包括：a)将离子或原子注入在基板中的第一深度的第一注入，以便形成第一注入平面，b)将离子或原子注入在基板中的第二深度的至少一个第二注入，第二深度与第一深度不同，以便形成至少一个第二注入平面。 | ||
| 搜索关键词： | 基板中 进行 多重 注入 方法 | ||
【主权项】：
在基板中注入原子和/或离子的方法，包括：a)将离子或原子注入在所述基板中的第一深度的第一注入，以便形成第一注入区域，b)将离子或原子注入在所述基板中的第二深度的至少一个第二注入，所述第二深度与所述第一深度不同，以便形成至少一个第二注入区域，所述第二注入平面与所述第一注入平面同时产生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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