[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200980129536.0 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102113131A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郑柱和;安俊勇;郑智元;朴铉定;李圣恩 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：表面上不均匀地布置有锯齿状部分的基板，所述锯齿状部分的倾度大于54.76°且小于90°，并且所述基板具有第一型半导体和第二型半导体；与所述第一型半导体接触的第一电极；和与所述第二型半导体接触的第二电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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