[发明专利]具有场板的LDMOS有效
| 申请号： | 200980128532.0 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102099920A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·A·M·德波特;亨克·J·普舍尔;保罗·布朗;斯蒂芬·J·C·H·首文 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于射频功率放大器的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，包括漏极指状物(25，27)，所述漏极指状物与一个或多个金属互连层的叠层(123、61、59、125)相连，其中所述叠层的金属互连层(123)与所述衬底上的漏极区(25)相连，其中所述叠层包括场板(123、125、121)，所述场板适用于减小所述漏极和所述衬底之间并且位于所述漏极指状物尖端上面的电场的最大幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ldmos | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，用于射频功率放大器的，包括漏极指状物，所述漏极指状物包括一个或多个金属互连层的叠层，其中一个或多个金属互连层的叠层中的金属互连层与所述衬底上的漏极区相连，其特征在于所述漏极指状物的尖端包括场板，所述场板适用于减小所述漏极和所述衬底之间电场的最大幅度。
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