[发明专利]具有场板的LDMOS

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，用于射频功率放大器的，包括漏极指状物，所述漏极指状物包括一个或多个金属互连层的叠层，其中一个或多个金属互连层的叠层中的金属互连层与所述衬底上的漏极区相连，其特征在于所述漏极指状物的尖端包括场板，所述场板适用于减小所述漏极和所述衬底之间电场的最大幅度。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述场板包括平面金属护罩。

3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述平面金属护罩位于在所述漏极指状物中所包括的一个或多个金属互连层的叠层中所包括的金属互连层上。

4.根据权利要求2或3所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述一个或多个金属互连层的所述叠层是两个或多个金属互连层的蘑菇状叠层，并且在所述漏极指状物中所包括的两个或多个金属互连层的叠层中所包括的最上面金属互连层在所述平面金属护罩上延伸。

5.根据任一前述权利要求所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述场板包括在所述漏极指状物的尖端处的圆边缘。

6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述场板的尖端包括在所述漏极指状物的尖端处的水滴形水平凸起部分。

7.根据任一前述权利要求所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，所述漏极指状物的尖端包括第二场板，所述第二场板适用于减小所述漏极和所述衬底之间的电场的最大值。

8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二场板与所述漏极指状物的尖端附近的漏极区相隔离。

9.根据权利要求7或8所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二场板包括第二平面金属。

10.根据权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二平面金属护罩设置在所述漏极指状物中所包括的金属互连层 的叠层的最下面金属互连层和外延层之间，并且通过氧化层与所述最下面金属互连层分离。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其中所述第二场板包含钨。

12.一种功率放大器，包括根据权利要求1-11中任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管。

13.一种基站，用于个人通信系统、雷达系统、或者广播系统，包括根据权利要求1-11中任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管。