[发明专利]高K电介质膜及使用钛基β-二酮合物前体制备的方法无效
| 申请号： | 200980123701.1 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102066608A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | P·R·查尔克;P·N·海斯 | 申请（专利权）人： | 西格玛-奥吉奇公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用金属源前体和根据式I：Ti(L)x钛基β-二酮合物前体通过气相沉积方法形成和稳定高κ电介质膜的方法，其中，L是β-二酮基；并且x是3或4。进一步提供了用根据式I的钛前体改善半导体器件高κ栅性能的方法。还提供了包含根据式I的钛前体的高κ电介质膜形成点阵。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 使用 二酮合物前 体制 方法 | ||
【主权项】：
通过气相沉积方法形成高κ电介质膜的方法，该方法包含将至少一种金属源前体和至少一种钛前体运送到基材，其中该至少一种钛前体在结构上对应于式I：Ti(L)x(式I)其中：L是β‑二酮基；并且x是3或4。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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