[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板无效
| 申请号： | 200980123428.2 | 申请日： | 2009-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102067283A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林和幸 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有对于EUV光和掩模图案检查光的波长区域的反射率低、特别是对于掩模图案检查光的整个波长区域(190～260nm)呈现低反射特性且对于氯系气体蚀刻的蚀刻速度快的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板。一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的检查光(波长190nm～260nm)为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述低反射层以总含有率计含有95原子％以上的硅(Si)和氮(N)，Si的含有率为5～80原子％，N的含有率为15～90原子％。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 反射 型掩模基板 | ||
【主权项】：
一种EUV光刻用反射型掩模基板，它是在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层、吸收EUV光的吸收体层、对掩模图案的波长190nm～260nm的检查光为低反射的低反射层的EUV光刻用反射型掩模基板，其特征在于，所述低反射层以总含有率计含有95原子％以上的硅(Si)和氮(N)，Si的含有率为5～80原子％，N的含有率为15～90原子％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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