[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200980123227.2 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102165593A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 松岛英晃 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种显示装置,具备多个像素部(100a~100c、......)。各像素部(100a~100c、......)的各有机发光层由堤(105a~105f、......)来区划。当比较对位于面板外周部(像素排列的端部)侧的像素部(100c)的内外进行区划的堤(105e、105f)时,区划端部侧的堤(105f)的与像素部(100c)对应的侧面部(100fa)的倾斜角度(θf),比区划中央部侧的堤(105e)的与像素部(100c)对应的侧面部(105ea)的倾斜角度(θe)大。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置,排列有多个像素部,各像素部构成为具有第一电极、第二电极、和插入在所述第一电极与所述第二电极之间的有机发光层,在所述第一电极的上方,立设有按所述像素部区划所述有机发光层的多个堤,所述多个像素部包括位于所述排列的端部侧的端部侧像素部,所述多个堤包括第一堤和第二堤,所述第一堤在所述排列的端部侧区划所述端部侧像素部的所述有机发光层,所述第二堤在所述排列的中央部侧区划所述端部侧像素部的所述有机发光层,所述第一堤的与所述端部侧像素部对应的侧面部的倾斜角度比所述第二堤的与所述端部侧像素部对应的侧面部的倾斜角度大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的