[发明专利]具有分隔的波长转换材料的半导体光发射器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200980121269.2 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102057507A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | R·P·雷特奎恩;P·S·安德鲁斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体光发射器件(LED)，其在向其施加电压时发射具有第一峰值波长的光，以及LED上的第一和第二含磷光体区域，其接收光并且将至少一部分光转换为具有更长的波长的光。第一含磷光体区域位于第二含磷光体区域和LED之间，从而使LED发射的光线在穿过第二含磷光体区域之前穿过第一含磷光体区域。第一含磷光体区域被配置为将LED发射的光转换为具有第二峰值波长的光，而第二含磷光体区域被配置为将LED发射的光转换为具有比第二峰值波长短的第三峰值波长的光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分隔 波长 转换 材料 半导体 发射 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体光发射器件LED，被配置为在向其施加电压时发射具有第一峰值波长的光；以及所述LED上的第一和第二含磷光体区域，被配置为接收所述LED发射的光并且将至少一部分接收到的光转换为波长比所述第一峰值波长更长的光；其中，所述第一含磷光体区域位于所述第二含磷光体区域和所述LED之间，从而使所述LED发射的光线在穿过所述第二含磷光体区域之前穿过所述第一含磷光体区域；以及其中，所述第一含磷光体区域被配置为将所述LED发射的光转换为具有第二峰值波长的光，而所述第二含磷光体区域被配置为将所述LED发射的光转换为具有比所述第二峰值波长更短的第三峰值波长的光。
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