[发明专利]具有栅极有源区域上的触点的晶体管有效
| 申请号： | 200980114512.8 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102007590A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | H·E·罗兹 | 申请（专利权）人： | 美商豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开在栅极有源区域上的晶体管触点(270)，其包括形成于集成电路衬底上的晶体管栅极(250)。栅极绝缘体(230)形成于晶体管栅极(250)下，并帮助界定晶体管栅极的有源区域。绝缘层(260)形成于晶体管栅极上。金属触点插塞(270)形成于位于有源区域上的绝缘层的一部分中，使得金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 有源 区域 触点 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：晶体管栅极，其形成于集成电路的衬底上；栅极绝缘体，其形成于所述晶体管栅极与所述集成电路的所述衬底之间，且其中所述栅极绝缘体的一部分为所述晶体管栅极界定有源区域；绝缘层，其形成于所述晶体管栅极上；以及金属触点插塞，其形成于直接在所述有源区域上的所述绝缘层的一部分中，所述金属触点插塞与所述晶体管栅极形成电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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