[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法

摘要

本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

主权项

一种CMP用研磨液，其特征在于，含有介质和分散在所述介质中的胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足下面(1)～(3)的条件：(1)从通过扫描电子显微镜观察所述胶态二氧化硅粒子得到的图像中选择任意的20个粒子，所述20个粒子的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)具有与在所述(1)中求得的二轴平均一次粒径(R1)相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的所述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值(S1/S0)为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的所述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在所述(1)中求得的二轴平均一次粒径(R1)的比(缔合度：Rs/R1)为1.30以下。