[发明专利]用于互连的自对准阻挡层

摘要

用于集成电路的互连结构，其包括完全包围集成电路中的铜线的硅酸锰和氮化硅锰层，并提供用于制备这种互连结构的方法。硅酸锰形成抵抗铜从布线扩散出的阻挡层，从而保护绝缘体过早断裂，保护晶体管免于被铜降解。硅酸锰和氮化硅锰还增进了铜和绝缘体之间的强有力的附着，因此在制造和使用过程中保持了器件的机械完整性。在铜-硅酸锰和氮化硅锰界面上的强有力的附着还防止器件使用过程中由铜电子迁移引起的失效。含锰包覆层(sheath)还保护铜免于被环境中的氧气或水腐蚀。

主权项

一种用于形成集成电路互连结构的方法，所述方法包括：a)提供部分完成的互连结构，该结构包括电绝缘区和导电含铜区，所述部分完成的互连结构具有基本上平坦的表面；b)将选自锰、铬和钒的金属(M)沉积在至少一部分的导电含铜区之上或之中；c)将绝缘膜沉积在至少一部分的沉积金属上，其中与所述至少一部分的沉积金属接触的沉积的绝缘膜区基本上是不含氧的；d)使至少一部分的沉积金属与绝缘膜反应以形成阻挡层，其中导电含铜区基本上是不含金属元素(M)的。