[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件有效

申请号：	200980111511.8	申请日：	2009-03-30
公开（公告）号：	CN101981688A	公开（公告）日：	2011-02-23
发明（设计）人：	芮古纳斯塞恩·辛葛拉马拉;雅各布·C·虎克;马库斯·J·H·范达纶	申请（专利权）人：	NXP股份有限公司;校际微电子中心
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	王波波
地址：	荷兰艾***	国省代码：	荷兰;NL
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摘要：	本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有合适功函材料的栅极电极。所述方法包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电层上形成层的叠层(140，150，160)。形成层的叠层包括：在介电层(130)上沉积具有第一厚度(例如，小于10nm)的第一金属层(140)；在第一金属层(140)上沉积具有第二厚度的第二金属层(150)，第二厚度大于第一厚度；将掺杂剂(152，154)引入第二金属层(150)中；将器件暴露于升高的温度，以使至少一些掺杂剂(152，154)从第二金属层(150)迁移超过第一金属层(140)与第二金属层(150)之间的界面；以及将叠层图案化成多个栅极电极(170)。这样，形成的栅极电极在介电层(130)附近具有掺杂剂分布，使得栅极电极的功函最优化，而栅极电介质不会由于掺杂剂渗透而劣化。
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【主权项】：

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底(100)，衬底(100)包括多个有源区(110，120)和覆盖有源区(110，120)的介电层(130)；以及在介电层上形成层(140，150，160)的叠层，包括：在介电层(130)上沉积具有第一厚度的第一金属层(140)；在第一金属层(140)上沉积具有第二厚度的第二金属层(150)，第二厚度大于第一厚度；将掺杂剂(152，154)引入第二金属层(150)中；将器件暴露于升高的温度，以使至少一些掺杂剂(152，154)从第二金属层(150)迁移超过第一金属层(140)与第二金属层(150)之间的界面；以及将叠层图案化成多个栅极电极(170)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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