[发明专利]用金属离子溶液催化对硅表面的抗反射蚀刻有效

申请号：	200980110274.3	申请日：	2009-03-20
公开（公告）号：	CN102007581A	公开（公告）日：	2011-04-06
发明（设计）人：	V·约斯特;H·布伦兹	申请（专利权）人：	可持续能源联盟有限责任公司
主分类号：	H01L21/306	分类号：	H01L21/306;H01L21/3063;H01L31/042
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	过晓东
地址：	美国科***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种蚀刻硅表面(116)的方法(300)。所述方法(300)包括将带有硅表面(116)的衬底(112)置于(310)容器(122)中。容器(122)中加入(330，340)一定量的蚀刻溶液(124)以覆盖硅表面(116)。蚀刻溶液(124)包括催化溶液(140)和氧化剂-蚀刻剂溶液(146)例如氢氟酸和过氧化氢的水溶液。催化溶液(140)可以是提供催化金属的分子或离子物种的溶液。硅表面(116)通过例如用超声搅拌在容器中搅拌蚀刻溶液(124)被蚀刻(350)，蚀刻可包括加热(360)蚀刻溶液(124)和用光照(365)硅表面(116)。在蚀刻过程中，催化溶液(140)例如氯金酸的稀溶液在氧化剂-蚀刻剂溶液(146)的存在下可释放加速蚀刻过程的金属颗粒例如金或银纳米颗粒。
搜索关键词：	金属离子溶液催化表面反射蚀刻
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种纹理化硅表面的方法，所述方法包括：将具有硅表面的衬底置于容器中；在所述容器中加入一定量的蚀刻溶液以覆盖所述衬底的硅表面，其中所述蚀刻溶液包含催化溶液和氧化剂‑蚀刻剂溶液，所述氧化剂‑蚀刻剂溶液包含蚀刻剂和硅氧化剂；以及通过搅拌容器中的蚀刻溶液对硅表面进行蚀刻，其中，在蚀刻过程中所述催化溶液提供大量的金属颗粒。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于可持续能源联盟有限责任公司，未经可持续能源联盟有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980110274.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用金属离子溶液催化对硅表面的抗反射蚀刻有效

专利文献下载