[发明专利]用于动态移动基板的等离子体处理的线性等离子体源有效
| 申请号： | 200980109312.3 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101971700A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | J·M·怀特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致涉及用于在基板移动穿过一处理室时在该基板上沉积一个层的方法及设备。该基板可沿一滚筒至滚筒系统移动。一滚筒至滚筒系统是其中该基板自第一滚筒卷出，使得基板可进行处理并接着在处理后再卷绕于一个第二滚筒上。当基板移动通过处理室时，一等离子体源可产生等离子体。施加至基板的电偏压可引导等离子体至基板，并因此允许当基板移动通过处理室时，材料沉积于基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态 移动 等离子体 处理 线性 | ||
【主权项】：
一种设备，包含：基板处理室，其具有多个壁；一或多个可转动处理滚轮，其设置于基板处理室内；多个填块，其设置于基板处理室内并彼此间隔，以允许当基板通过基板处理室时让基板通过其间；及一或多个Mu‑等离子体源，其耦接至处理室。
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