[发明专利]制造半导体陶瓷组成物/电极组件的工艺无效
| 申请号： | 200980107174.5 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101959830A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 猪野健太郎;岛田武司 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;杨本良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体陶瓷组成物/电极组件，由于关于其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替并且在晶粒边界处具有P型半导体的半导体陶瓷组成物的通电，该半导体陶瓷组成物/电极组件是100Ω·cm或更低的低室温电阻率并随时间推移的改变被减小。提供一种用于制造半导体陶瓷组成物/电极组件的工艺，其中电极被连接到半导体陶瓷组成物，在该半导体陶瓷组成物中，BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替并且在晶粒边界处具有P型半导体，该工艺包括将电极连接到半导体陶瓷组成物，接着在100℃至600℃的温度下进行热处理0.5小时至24小时。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 陶瓷 组成 电极 组件 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体陶瓷组成物/电极组件的工艺，其中，电极被连接到半导体陶瓷组成物；在该半导体陶瓷组成物中，BaTiO3的一部分Ba用Bi‑Na代替并且在晶粒边界处具有P型半导体，该工艺包括：将所述电极连接到该半导体陶瓷组成物，接着在100℃至600℃的温度下进行热处理0.5小时至24小时。
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