[发明专利]在存储器装置的编程期间的电荷损失补偿有效
| 申请号： | 200980106435.1 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101960533A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 维奥兰特·莫斯基亚诺;米凯莱·因卡尔纳蒂;乔瓦尼·桑廷;达尼洛·奥兰迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 经由以阶跃电压递增的多个编程脉冲来编程选定字线上的选定存储器单元。在成功编程验证操作之后，在正编程所述选定字线的其它存储器单元同时，禁止所述选定存储器单元的编程。对所述选定存储器单元执行另一编程验证操作。如果所述编程验证操作未通过，那么以所述阶跃电压对耦合到所述选定单元的位线进行偏置，且将最终编程脉冲发出到所述选定字线。接着在不评估所述最终编程验证操作的情况下锁定所述选定存储器单元不再进一步编程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 编程 期间 电荷 损失 补偿 | ||
【主权项】：
一种用于存储器装置中的快速电荷损失补偿的方法，所述方法包含：以编程脉冲对耦合到选定字线的选定存储器单元进行偏置，直到所述选定存储器单元通过第一编程验证操作为止；响应于所述选定存储器单元未通过所述第一编程验证操作之后的第二编程验证操作，以额外编程脉冲对所述选定存储器单元进行偏置，同时对耦合到所述选定存储器单元的位线进行偏置以减慢所述选定存储器单元的编程；以及在不评估响应于最终编程脉冲的第三编程验证操作的情况下以禁止电压对所述位线进行偏置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980106435.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接器组件
- 下一篇：一种基于NPB和BND的紫外光探测器
