[发明专利]在经脉冲激光照射而掺杂的材料上构造平坦表面有效
| 申请号： | 200980103740.5 | 申请日： | 2009-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102017088A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | E·玛祖;M·温克勒 | 申请（专利权）人： | 哈佛大学校长及研究员协会 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于处理衬底(例如半导体衬底)的方法和装置，包括在衬底表面部分暴露于掺杂剂中时采用多个短辐射脉冲照射该衬底表面的至少一部分。将脉冲选定为在衬底表面处具有大于熔化注量阈值(为了引起衬底熔化所需的辐射脉冲的最低注量)且小于烧蚀注量阈值(为了引起衬底烧蚀所需的辐射脉冲的最低注量)的注量。一定量的掺杂物可以以该方式加入到衬底中，同时保证衬底表面的粗糙度远小于所施加辐射脉冲的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 经脉 激光 照射 掺杂 材料 构造 平坦 表面 | ||
【主权项】：
一种处理衬底的方法，包括：当衬底的表面部分暴露于掺杂材料时，采用多个短辐射脉冲照射该衬底表面的至少一部分，所述脉冲在该衬底表面处具有大于熔化注量阈值且小于烧蚀注量阈值的注量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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