[发明专利]使用微机电系统开关的静电放电保护有效
申请号: | 200980000233.9 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN101790789A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | J·卡瓦;S·辛哈;M-C·蔡;Z·W·唐;苏晴 | 申请(专利权)人: | 新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;唐文静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种接口电路的实施例。这种接口电路包括输入焊盘、控制节点和晶体管,该晶体管具有三个端子。第一端子被电气地耦合到输入端而第二端子被电气地耦合到控制节点。此外,接口电路包括微机电系统(MEMS)开关,其被电气地耦合到输入焊盘和控制节点,其中该MEMS开关与晶体管并联。在没有电压被施加到MEMS开关的控制端时,MEMS开关关闭,由此电气地耦合输入焊盘和控制节点。此外,当电压被施加到MEMS开关的控制端时,MEMS开关被打开,由此将输入焊盘与控制节点电气地解耦合。 | ||
搜索关键词: | 使用 微机 系统 开关 静电 放电 保护 | ||
【主权项】:
一种接口电路,其包括:输入焊盘和控制节点;具有三个端子的晶体管,其中第一端子被电气地耦合到所述输入焊盘而第二端子被电气地耦合到所述控制节点;以及微机电系统(MEMS)开关,其被电气地耦合到所述输入焊盘和所述控制节点,其中所述MEMS开关与所述晶体管并联;其中,当没有电压被施加到所述MEMS开关的控制端时,所述MEMS开关关闭,由此电气地耦合所述输入焊盘与所述控制节点,以及当电压被施加到所述MEMS开关的所述控制端时,所述MEMS开关被打开,由此将所述输入焊盘与所述控制节点电气地解耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的