[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于GaN的半导体层的步骤(S10)；在所述基于GaN的半导体层上形成Al膜的步骤(S20)；形成掩模层的步骤(S30、S40)，所述掩模层由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；使用所述掩模层作为掩模来部分除去所述Al膜和所述基于GaN的半导体层以形成脊部的步骤(S50)；使所述Al膜端部的侧壁位置从所述掩模层的侧壁位置后退的步骤(S60)；在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤(S70)，所述保护膜由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；以及除去所述Al膜以除去所述掩模层和在所述掩模层的上表面上形成的保护膜的步骤(S80)。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备基于氮化镓的半导体层的步骤，所述基于氮化镓的半导体层构成半导体器件；在所述基于氮化镓的半导体层上形成第一膜的步骤；形成第二膜的步骤，其中所述第二膜由用碱性腐蚀剂腐蚀时的腐蚀速度比第一膜的构成材料小的材料构成，且具有图案；通过使用所述第二膜作为掩模进行腐蚀而部分除去所述第一膜和所述基于氮化镓的半导体层，以在所述第二膜下面的区域中的所述基于氮化镓的半导体层中形成脊部的步骤；通过利用所述碱性腐蚀剂进行腐蚀而将所述第一膜的位于所述脊部上的端部除去，以使所述第一膜的端部位置从所述第二膜的端部位置后退的步骤；在所述脊部的侧面和所述第二膜的上表面上形成保护膜的步骤，其中所述保护膜由用碱性腐蚀剂腐蚀时的腐蚀速度比第一膜的构成材料小的材料构成；通过利用所述碱性腐蚀剂进行腐蚀来除去所述第一膜，以除去所述第二膜和在所述第二膜的上表面上形成的保护膜的步骤；以及在通过除去所述第一膜而暴露的所述脊部的表面上形成电极的步骤。