[实用新型]一种具有气体检测装置的加热炉有效
| 申请号： | 200920211547.0 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN201689872U | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 董彬;宋大伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有气体检测装置的加热炉，所述加热炉包括外炉管、内炉管、气体反应腔以及气体注入室，所述气体反应腔设置在所述内炉管的内侧，用于容纳承载待处理晶片的晶舟，所述气体注入室设置在所述外炉管的下方，用来通过气体通入/排出管将反应气体输送至所述气体反应腔，与炉体内部连通的主管道上设置有主阀门，用于控制气体进入/排出炉体内部，所述加热炉还包括一气体检测装置，所述气体检测装置包括依次连通的一单向气阀、第一气阀、气体检测器以及第二气阀，由所述单向气阀、所述第一气阀、所述气体检测器以及所述第二气阀构成的气体通路连接于所述主阀门的两端。所述加热炉能够及时地监测炉管中氧气的含量，提高器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 气体 检测 装置 加热炉 | ||
【主权项】：
一种具有气体检测装置的加热炉，所述加热炉包括外炉管、内炉管、气体反应腔以及气体注入室，所述气体反应腔设置在所述内炉管的内侧，用于容纳承载待处理晶片的晶舟，所述气体注入室设置在所述外炉管的下方，用来通过气体通入/排出管将反应气体输送至所述气体反应腔，与炉体内部连通的主管道上设置有主阀门，用于控制气体进入/排出炉体内部，其特征在于，所述加热炉还包括一气体检测装置，所述气体检测装置包括依次连通的一单向气阀、第一气阀、气体检测器以及第二气阀，由所述单向气阀、所述第一气阀、所述气体检测器以及所述第二气阀构成的气体通路连接于所述主阀门的两端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
