[发明专利]黄光发光二极管及发光装置无效
| 申请号： | 200910301732.3 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101872819A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 阿久津仲男;赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种黄光发光二极管，包括一个基座，一个发光二极管晶粒，一个荧光粉层以及一个封装体。该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒，且该发光二极管晶粒设置在该基座上。该荧光粉层为钇铝石榴石荧光粉层，其分布在发光二极管晶粒的出光路径上，且该钇铝石榴石荧光粉层的厚度大于250微米。该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。该黄光发光二极管具有色彩偏移小且发光效率高的特点。本发明还提供了采用该种黄光发光二极管的发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种黄光发光二极管，包括：一个基座；一个设置在该基座上的发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒；一个位于发光二极管晶粒出光路径上的荧光粉层，该荧光粉层的材质为钇铝石榴石荧光粉且该荧光粉层的厚度大于250微米；一个封装体，该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。
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