[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910265283.1 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN101771060A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 郑承万 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括读出电路、电结区、互连件、图像感测器件和红外滤色镜。该读出电路和该电结区被形成于第一衬底中并相互电连接。该互连件被形成于该电结区上方且该图像感测器件被形成于该互连件上方。该红外滤色镜被形成于该图像感测器件上方且包括多个薄膜。本发明能够最小化暗电流及抑制饱和度的减少和灵敏度的降低。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:读出电路,被形成于第一衬底中;电结区,被形成于所述第一衬底中且被电连接至所述读出电路;互连件,被形成于所述电结区上方;图像感测器件,被形成于所述互连件上方;以及红外滤色镜,被形成于所述图像感测器件上方且包含多个薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的