[发明专利]一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺

摘要

本发明涉及一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺，其包括体硅衬底及位于体硅衬底上的二氧化硅埋层；二氧化硅埋层上至少布置一个MOSFET阱区及至少一个反熔丝下极板，MOSFET阱区与反熔丝下极板利用二氧化硅间隔层相间隔；所述MOSFET阱区及反熔丝下极板上均生长有第一二氧化硅层、第一氮化硅层及第二二氧化硅层，第一二氧化硅层、第一氮化硅层及第二二氧化硅层分别作为MOSFET的栅介质与反熔丝的高阻介质；第二二氧化硅层上依次布置有多晶硅层及硅化物层；MOSFET阱区上对应的多晶硅层与硅化物层作为MOSFET的栅极，反熔丝下极板区对应的多晶硅层与硅化物层作为反熔丝的上极板；MOSFET阱区上设置有MOSFET的源极与漏极，其工艺简单，兼容性及抗辐射性能好。

主权项

一种反熔丝结构，包括体硅衬底(100)及位于体硅衬底(100)上的二氧化硅埋层(101)，其特征是：所述二氧化硅埋层(101)上至少布置一个MOSFET阱区(109)及至少一个反熔丝下极板(110)，所述MOSFET阱区(109)与反熔丝下极板(110)利用二氧化硅间隔层(107)相间隔；所述MOSFET阱区(109)及反熔丝下极板(110)上均生长有第一二氧化硅层(111)，所述第一二氧化硅层(111)上设置有第一氮化硅层(112)，所述第一氮化硅层(112)上热氧化生长有第二二氧化硅层(113)，所述第一二氧化硅层(111)、第一氮化硅层(112)及第二二氧化硅层(113)分别作为MOSFET的栅介质与反熔丝的高阻介质；所述第二二氧化硅层(113)上依次布置有多晶硅层(114)及硅化物层(115)；所述MOSFET阱区(109)上对应的多晶硅层(114)与硅化物层(115)作为MOSFET的栅极(116)，所述反熔丝下极板(110)上对应的多晶硅层(114)与硅化物层(115)作为反熔丝的上极板(117)；所述MOSFET阱区(109)上设置有MOSFET的源极(118)与漏极(119)。