[发明专利]一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法

摘要

本发明公开了制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法，步骤为：在基片上非活化区沉积一定厚度的磷源，然后采用较强的激光照射含磷层。然后将基片置于真空室内，对真空室抽本底真空，同时对基片加热，将本底真空抽到一定真空度，同时基片达到加热温度时，用相对较弱激光照射基片活化区，在活化区形成结深在十几纳米的超浅结。或者采用另一种方案，将基片置于真空室内，对真空室抽本底真空，同时对基片加热，将本底真空抽到一定真空度，同时基片达到加热温度时，用相对较弱激光照射基片活化区或整个表面，在活化区或者整个表面形成结深在十几纳米的超浅结。然后在基片上非活化区沉积一定厚度的含磷物质做为磷源，然后采用较强的激光照射含磷层。

主权项

一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在P型基片表面上非活化区位置沉积磷硅玻璃或者印刷磷浆；(2)使用激光照射P型基片上沉积磷硅玻璃或者印刷磷浆的地方，瞬间升温至大于1200℃小于等于1400℃，激活P型基片晶格实现高浓度重掺杂，(3)将P型基片置于本底真空条件下的真空室内，(4)充入PH3和H2混合气体，使用激光照射P型基片活化区表面，瞬间升温至大于等于1000℃小于等于1200℃，激活基片活化区晶格实现低浓度浅掺杂，最终获得P型晶体硅太阳能电池的选择性发射极；或者，(1)将P型基片置于本底真空条件下的真空室内，(2)充入PH3和H2混合气体，使用激光照射P型基片活化区表面或者整个基片表面，瞬间升温至大于等于1000℃小于等于1200℃，激活基片活化区晶格实现低浓度浅掺杂，(3)在P型基片表面上非活化区位置沉积磷硅玻璃或者印刷磷浆；(4)使用激光照射P型基片上沉积磷硅玻璃或者印刷磷浆的地方，瞬间升温至大于1200℃小于等于1400℃，激活P型基片晶格实现高浓度重掺杂，最终获得P型晶体硅太阳能电池的选择性发射极。