[发明专利]沉积设备及衬底制造方法无效

专利信息
申请号: 200910262654.0 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN101768734A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 森胁崇行 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种沉积设备,其包括:真空室;等离子体枪,其适于将等离子体发射到容纳在真空室中的沉积材料上;和适于将放电气体供应到等离子体枪的放电气体供应单元。该沉积设备包括适于改变放电气体的流量的质量流控制器和连接至质量流控制器的控制电路,该控制电路适于基于预定设置通过质量流控制器来控制流量的变化。
搜索关键词: 沉积 设备 衬底 制造 方法
【主权项】:
一种沉积设备,包括:真空室;等离子体枪,其适于将等离子体发射到容纳在所述真空室中的沉积材料上;和放电气体供应单元,其适于将放电气体供应到所述等离子体枪,所述沉积设备包括:质量流控制器,其适于改变放电气体的流量;以及控制电路,所述控制电路连接至所述质量流控制器,并且适于基于预定设置通过所述质量流控制器来控制流量的变化。
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