[发明专利]沉积设备及衬底制造方法无效
申请号: | 200910262654.0 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101768734A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 森胁崇行 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种沉积设备,其包括:真空室;等离子体枪,其适于将等离子体发射到容纳在真空室中的沉积材料上;和适于将放电气体供应到等离子体枪的放电气体供应单元。该沉积设备包括适于改变放电气体的流量的质量流控制器和连接至质量流控制器的控制电路,该控制电路适于基于预定设置通过质量流控制器来控制流量的变化。 | ||
搜索关键词: | 沉积 设备 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种沉积设备,包括:真空室;等离子体枪,其适于将等离子体发射到容纳在所述真空室中的沉积材料上;和放电气体供应单元,其适于将放电气体供应到所述等离子体枪,所述沉积设备包括:质量流控制器,其适于改变放电气体的流量;以及控制电路,所述控制电路连接至所述质量流控制器,并且适于基于预定设置通过所述质量流控制器来控制流量的变化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的