[发明专利]EL装置、EL装置的制造方法及电子设备有效
申请号: | 200910262078.X | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN101764144A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 宇都宫纯夫;佐藤大辅 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L21/768;G09F9/33 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 雒运朴;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及EL装置、EL装置的制造方法及电子设备。用于不增加制造成本地得到可抑制阴极的面电阻的顶部发射型EL装置。该EL装置具备:EL元件(29),其具有第1电极(25)、与第1电极对置的第2电极(27)、夹持在第1电极与第2电极之间的包含EL材料层的发光功能层(26),并经由第2电极射出EL材料层的发光;将相邻的EL元件(29)之间隔开的隔离区域(102);包含多个EL元件和隔离区域的显示区域;和形成在隔离区域的与第2电极电连接的辅助布线;辅助布线包含沿第1方向延伸的第1辅助布线、沿第2方向延伸的第2辅助布线,第1辅助布线和第2辅助布线的至少一方在显示区域内沿一个延伸的方向至少具有一处间隙。 | ||
搜索关键词: | el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种EL装置,其特征在于,具备:EL元件,其具有第1电极、与所述第1电极对置设置的第2电极、夹持在所述第1电极与所述第2电极之间的至少包含EL材料层的发光功能层,并经由所述第2电极射出所述EL材料层的发光;隔离区域,其将多个所述EL元件的相邻的所述EL元件之间隔开;显示区域,其包含所述多个所述EL元件和所述隔离区域;以及辅助布线,其形成在所述隔离区域,与所述第2电极电连接;所述辅助布线包含沿第1方向延伸的第1辅助布线、和沿与所述第1方向不同的方向、即第2方向延伸的第2辅助布线,所述第1辅助布线在所述显示区域内沿所述第1方向无间隙地延伸,所述第2辅助布线与所述第1辅助布线之间具有间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的