[发明专利]高纯粒状硅及其制造方法有效
| 申请号： | 200910261505.2 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101734664A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | J·伊布拉希姆;M·G·艾维;T·D·特鲁昂 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及高纯粒状硅及其制造方法，公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 粒状 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
粒状硅合成物，包含总重量为至少大约300千克的多个自由流动的硅粒子，其中这些粒子具有小于0.2ppba的平均过渡金属浓度。
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