[发明专利]高纯粒状硅及其制造方法有效
| 申请号： | 200910261505.2 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101734664A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | J·伊布拉希姆;M·G·艾维;T·D·特鲁昂 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 粒状 及其 制造 方法 | ||
1.粒状硅合成物，包含总重量为至少300千克的多个自由流动的硅粒 子，其中这些粒子具有小于0.2ppba的平均过渡金属浓度。
2.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子的总重量为至少1公吨。
3.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有0.15ppba至0.1 ppba的平均过渡金属浓度。
4.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有不超过0.1ppba的 平均硼浓度。
5.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有不超过0.1ppba的 平均磷浓度。
6.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有0.02至0.1ppma 的平均碳浓度。
7.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有0.3至1.5ppmw 的平均氢浓度。
8.权利要求1的粒状硅合成物，其中所述粒子具有800至1200微米 的平均尺寸。
9.权利要求1的粒状硅合成物，其中重量的0.006％至0.02％可归于 表面粉尘。
10.粒状硅合成物，包含总重量为至少300千克的多个自由流动的硅 粒子，其中至少99％的粒子的尺寸为250至3500微米。
11.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子的总重量为至少1公 吨。
12.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有不超过0.1ppba 的平均过渡金属浓度。
13.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有不超过0.1ppba 的平均硼浓度。
14.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有不超过0.1ppba 的平均磷浓度。
15.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有0.02至0.1ppma 的平均碳浓度。
16.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有0.3至1.5ppmw 的平均氢浓度。
17.权利要求10的粒状硅合成物，其中所述粒子具有800至1200微 米的平均尺寸。
18.权利要求10的粒状硅合成物，其中重量的0.006％至0.02％可归 于表面粉尘。
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