[发明专利]一种多层LED芯片结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200910242001.6 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101728472A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李京波;朱峰;纪攀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层LED芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上高温外延生长的n型GaN；在n型GaN上高温外延生长的AlGaN层；在AlGaN层上生长的3个周期的InGaN/GaN量子阱的弛豫层；在InGaN/GaN量子阱的弛豫层上生长的7个周期的InGaN/GaN量子阱有源区；在InGaN/GaN量子阱有源区上生长的p型AlGaN电子阻挡层；在电子阻挡层上生长的p型GaN层；以及在p型GaN层上生长的重掺杂的p型GaN接触层。该结构可以有效的降低外延层中材料的位错密度，减少量子限制斯塔克效应的影响，提高LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层LED芯片结构，其特征在于，该结构包括：蓝宝石衬底(1)；在蓝宝石衬底(1)上低温外延生长的GaN缓冲层(2)；在GaN缓冲层(2)上高温外延生长的n型GaN(3)；在n型GaN(3)上高温外延生长的AlGaN层(4)；在AlGaN层(4)上生长的3个周期的InGaN/GaN量子阱的弛豫层(5)；在InGaN/GaN量子阱的弛豫层(5)上生长的7个周期的InGaN/GaN量子阱有源区(6)；在InGaN/GaN量子阱有源区(6)上生长的p型AlGaN电子阻挡层(7)；在电子阻挡层(7)上生长的p型GaN层(8)；以及在p型GaN层(8)上生长的重掺杂的p型GaN接触层(9)。
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