[发明专利]一种位线分割高性能缓冲器无效

专利信息
申请号: 200910238460.7 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN101740109A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 王东辉;闫浩;张铁军;侯朝焕 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18
代理公司: 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 代理人: 杨小蓉
地址: 100190 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种位线分割的高性能缓冲器,其特征在于,所述的位线分割的高性能缓冲器包含:一预充电电路,一快速电压检测电路,一辅助放电电路及一控制电路;预充电开始,所述的预充电电路根据已分割的寄存器提供的预充电控制信号对前、后级的位线同时分别进行充电,同时所述的控制电路关断所述的快速电压检测电路与所述的辅助放电电路,使得前、后级位线相互隔离,使前、后级位线预充电时不造成相互影响;预充电结束后,所述的控制电路接通所述的快速电压检测电路,在前级位线开始放电时快速检测到前级位线电平的变化信息,之后控制电路打开所述的辅助放电路后级位线进行放电,使得位线整体的充放电速度得到极大提高。
搜索关键词: 一种 分割 性能 缓冲器
【主权项】:
一种位线分割高性能缓冲器,其特征在于,该位线高性能缓冲器,用于与两个或以上的分段寄存器文件串联将整条位线分割为不同级数的位线,所述的位线分割高性能缓冲器包含:一预充电电路,一快速电压检测电路,一辅助放电电路及一控制电路;所述的预充电电路,由PMOS管P1和PMOS管P4组成,其中PMOS管P1接入上级位线输出端和电源之间,PMOS管P4接入下级位线的输入端和电源之间;所述的PMOS管P1与PMOS管P4的栅极相连接输入预充电信号;所述的控制电路,由P2和N2组成;P2接入电源和快速电压检测电路之间;N2接入快速电压检测电路的输出节点和地线之间;所述的P2与N2的栅极相连接受控于预充电信号的非信号的控制;所述的快速电压检测电路,由P3和N1组成,P3接入控制电路和N1控制端之间;N1接入输入端和地线之间;所述的辅助放电电路,由NMOS管N3组成,N3接入输出和地线之间;预充电开始后,所述的预充电电路根据已分割的寄存器提供的预充电控制信号对前、后级的位线同时分别进行充电,同时,所述的控制电路关断所述的快速电压检测电路与所述的辅助放电电路,使得前、后级位线相互隔离;预充电结束后,所述的控制电路接通所述的快速电压检测电路,所述的快速电压检测电路,在前级位线开始放电时快速检测到前级位线电平的变化信息,然后,所述的控制电路接通所述的辅助放电路,后级位线进行放电,使得位线整体的充放电速度得到极大提高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院声学研究所,未经中国科学院声学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910238460.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top