[发明专利]一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910236304.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101746715A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王峰;徐新花;吉静;刘景军 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L31/18;C03C17/22;C25D9/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于能源材料领域。本发明分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和pH缓冲剂配制电沉积液，并调节pH＝1.5-3.5后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温30-180min，得到CuInS2纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强，重复好，所制备的CuInS2纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuins sub 纳米 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将邻苯二甲酸氢钾、氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂按摩尔比为(2.0-2.4)∶(0.67-1.5)∶1∶(4-8)∶(10-30)溶于去离子水中，并用盐酸调节pH＝1.5-3.5；2)以镍箔或ITO导电玻璃作为工作电极，以铂片作为辅助电极，以饱和甘汞作为参比电极，以步骤1)中配制的溶液作为电沉积液，进行电沉积制备CuInS2前躯体薄膜，工艺参数为：电沉积液的温度控制在20-80℃，电位控制在-0.90--1.10V，沉积时间为5-120min，沉积过程中对电沉积液进行搅拌；3)在氩气或氮气保护条件下，将CuInS2前躯体薄膜于250-500℃下恒温30-180min，得到CuInS2纳米晶半导体薄膜。
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