[发明专利]具有电流阻挡结构的发光器件及制造具有电流阻挡结构的发光器件的方法无效
申请号: | 200910224555.3 | 申请日: | 2005-03-30 |
公开(公告)号: | CN101714606A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;V·米茨科夫斯基;D·T·埃默森;J·埃德蒙 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李家麟 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种具有位于导线接合焊盘下的电流阻挡结构的发光器件及制造该发光器件的方法。所述电流阻挡结构可以是位于所述器件有源区域内的减小的导电区域。所述电流阻挡结构可以是其上形成了接触的层的损坏区域。所述电流阻挡结构可以是位于器件的有源区域和欧姆接触之间的肖特基接触。也可在所述欧姆接触和有源区域之间提供半导体结,诸如PN结。 | ||
搜索关键词: | 具有 电流 阻挡 结构 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:半导体材料的有源区域;位于所述有源区域上的第一接触,所述第一接触足够薄以便由所述有源区域发射的光子通过所述第一接触;光子吸收接合焊盘,其位于所述第一接触上并且具有比所述第一接触的面积小的面积;在所述有源区与所述第一接触之间的p型半导体材料层;肖特基接触,布置在所述接合焊盘下的第一接触中,并构造成在肖特基接触的区域中减小和/或阻止从所述第一接触注入至所述p型半导体材料层的电流;和电耦合至所述有源区域的第二接触。
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