[发明专利]功率MOSFET器件雪崩能量测试仪无效
| 申请号： | 200910219513.0 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101750539A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李志强 | 申请（专利权）人： | 西安明泰半导体测试有限公司 |
| 主分类号： | G01R22/00 | 分类号： | G01R22/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪，包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路，所述前端雪崩测试电路的硬件结构是，包括可调直流电源，可调直流电源与保险丝、MOSFET器件、电感、电流感应器、待测MOSFET器件依次连接构成回路；MOSFET器件的漏极与待测MOSFET器件的源极之间并联有电解电容和瓷片电容；MOSFET器件的源极与待测MOSFET器件的源极之间连接有二极管；所述后端雪崩电流采样电路的结构是，信号调理电路和基准源电路与模数转换器连接，模数转换器与FPGA控制逻辑连接，FPGA控制逻辑分别与测试机信号连接器、MOS驱动电路和分选机信号连接器连接。本发明的测试仪能提供高瞬间电流进行雪崩能量测试。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 雪崩 能量 测试仪 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪，其特征在于：包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路，所述前端雪崩测试电路的结构是，包括可调直流电源(1)，可调直流电源(1)的正极与保险丝(2)相连；保险丝(2)的另一端与MOSFET器件(6)的漏极相连；MOSFET器件(6)的源极与电感(8)的一端相连；电感(8)的另一端与电流感应器(9)的电流输入端相连；电流感应器(9)的电流输出端与待测MOSFET器件(10)的漏极相连；待测MOSFET器件(10)的源极与接地线(5)及可调直流电源(1)的负极相连；MOSFET器件(6)的栅极接受控制信号；电流感应器(9)的采样信号输出端输出信号；待测MOSFET器件(10)的栅极接受控制信号；MOSFET器件(6)的漏极与保险丝(2)的连接线上设置有节点N1，MOSFET器件(6)的源极与电感(8)的连接线上设置有节点N2，待测MOSFET器件(10)的源极与可调直流电源(1)的连接线上设置有节点N3，在节点N1与N3之间并联有电解电容(3)和瓷片电容(4)；在节点N2与N3之间连接有二极管(7)，该二极管(7)的正端与节点N3连接；所述后端雪崩电流采样电路的结构是，包括模数转换器(13)，模数转换器(13)分别与信号调理电路(11)、基准源电路(12)和FPGA控制逻辑(15)连接，FPGA控制逻辑(15)分别与测试机信号连接器(14)、MOS驱动电路(16)和分选机信号连接器(17)连接。
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