[发明专利]AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910218717.2 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101710590A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郝跃;曹艳荣;王冲;高海霞;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/43;H01L29/08;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决器件频率低和抗辐射性能差的问题。该器件包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN冒层、栅氧化层和栅、源、漏电极，其中栅氧化层采用Al2O3，栅电极采用透明的ZnO。该ZnO栅电极中掺有Al元素，其长度与源漏之间的距离相等。本发明器件的制作过程依次是：先进行外延材料生长，再制作Al2O3栅氧化层和ZnO栅电极，最后利用自对准的方法在ZnO栅电极的两侧制作源漏电极。本发明具有频率特性好，抗辐照特性好，且工艺简单，重复性好，可靠性高的优点，可作为高频和高速电路中的电子元件。 | ||
| 搜索关键词： | algan gan 绝缘 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管，包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN冒层、栅氧化层和源、漏、栅电极，其特征在于栅氧化层采用Al2O3，栅电极采用透明的ZnO。
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