[发明专利]AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：

A.材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，按照自下而上的顺 序生长GaN缓冲层、本征GaN层、Al_0.3Ga_0.7N层和GaN冒层；

B.器件栅电极制作步骤：

(B1)采用原子层淀积ALD方法在GaN冒层上淀积Al₂O₃，淀积厚度为5-10nm， 温度为300℃；

(B2)在淀积的Al₂O₃层上，溅射一层掺2％的Al元素的ZnO薄膜，淀积厚度 为100-300nm；

(B3)用干法自上而下刻蚀ZnO和Al₂O₃薄膜层，形成ZnO栅电极；

C.器件源漏电极制作步骤：

(Cl)以ZnO栅电极为基准，采用自对准方法，对ZnO栅极两侧的GaN冒层和 Al_0.3Ga_0.7N层进行2-8×10¹⁵/cm²的Si⁺注入，形成源漏区域，使ZnO栅电极的长度与 源区和漏区之间的距离相等；

(C2)采用电子束蒸发工艺，在源漏电极图形区蒸发欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au， 500℃退火，形成源漏电极，完成器件制作。

2.根据权利要求1所述的AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管制作方法， 其中步骤(B2)所述的在淀积的Al₂O₃层上，溅射一层掺2％的Al元素的ZnO薄膜， 是采用磁控溅射的方法将靶材为掺有2％Al的ZnO粉末，在压强为1-2Pa，衬底温 度为220-260℃，溅射功率为30-70W的条件下，预溅射ZnO 15分钟，以清洁靶材 表面和使系统稳定；再在99.9999％的高纯氩气气氛中进行溅射，形成100-300nm厚 的ZnO栅电极层。