[发明专利]一种太阳能电池生产中PIN膜的沉积工艺

摘要

本发明涉及一种太阳能电池生产中PIN膜的沉积工艺，该工艺的步骤是首先在加热仓室对电池板进行加热加热，使其温度达到180-190℃；加热完成后，太阳能电池进入到沉积仓室，沉积仓室射频电源在射频13.56MHz，气压为100Pa，沉积仓室加温板使电池温度稳定在180-190℃，在上述控制条件下，对沉积的时间进行控制，使P层为15-25nm，I层厚度为300-350nm，N层厚度为30-50nm，PIN三层厚度形成稳定的PIN结构，使电池的转换效率得到提高。

主权项

一种太阳能电池生产中PIN膜的沉积工艺，其特征在于：它包括以下沉积工艺步骤：①、首先将太阳能电池装在电池挂片箱(1)中，通过传送导轨(2)使太阳能电池先进入加热仓室(3)，加热仓室(3)对太阳能电池进行加热，使太阳能电池温度达到180‑190℃；②、上述步骤①中加热完成后，太阳能电池进入沉积仓室(4)，沉积仓室(4)的射频电源在射频13.56MHz，气压为100Pa，沉积仓室(4)内的真空泵(5)开始抽真空，待真空度达到10‑4后，射频电源(6)开始放电，使沉积仓室(4)内的气体电离分解到太阳能电池上，形成稳定的电池结构，此过程中沉积仓室(4)内设置的加温板(7)保持电池温度稳定在180‑190℃；③、由于PIN各层厚度取决于沉积时间，控制沉积时间，使P层厚度为15‑25nm，I层厚度为300‑350nm，N层厚度为30‑50nm，PIN三层厚度形成稳定的PIN结构。