[发明专利]壳熔法多晶硅提纯装置及其方法无效
| 申请号： | 200910216154.3 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102050450A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈庆汉;何雪梅;李多加;高尚久;徐家跃;展宗贵;张道标 | 申请（专利权）人： | 陈庆汉 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种采用壳熔技术提纯多晶硅的装置，包括有水冷真空炉膛、环形排列水冷铜管、带升降装置的水冷底盘，等离子体喷枪和加料器，及超高频感应加热线圈。本发明还公开一种太阳能级多晶硅的制造方法，其步骤包括形成固态硅质熔壳坩埚，并在熔壳坩埚中对硅原料进行超高频、超高温的真空熔炼及等离子体气氛精炼，和定向凝固。 | ||
| 搜索关键词： | 壳熔法 多晶 提纯 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种提纯多晶硅的装置，其特征在于，该装置包括：水冷真空炉膛[1]，感应等离子体喷枪[2]和加料装置[3]，保护气体的进气口[5]，水冷真空炉膛[1]内安装有环状排列水冷铜管[6]、水冷底盘[7]及感应加热线圈[10]，水冷底盘[7]与升降系统[16]相连，水冷真空炉膛与真空机组[15]相连。
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