[发明专利]具有新型采样策略的高级处理控制有效
| 申请号： | 200910215218.8 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101853776A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 王若飞;曾衍迪;范明煜;王琪;牟忠一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;G05B19/418 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：对第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 新型 采样 策略 高级 处理 控制 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，包括如下步骤：对每个具有多个区域的第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
