[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910205387.3 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101771075A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/41;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：i-GaN层(电子渡越层)、在i-GaN层(电子渡越层)上形成的n-GaN层(化合物半导体层)、在n-GaN层(化合物半导体层)上形成的源电极、漏电极和栅电极。在所述n-GaN层(化合物半导体层)的所述源电极与所述漏电极之间的区域内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有一凹入部分。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；化合物半导体层，形成在所述电子渡越层上；以及源电极、漏电极以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分。
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