[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法。首先，提供具有第一导电类型的基板，基板中具有具有第二导电类型的井区。然后，在井区中形成基体掺杂区，以及在基体掺杂区中形成通道定义掺杂区。基体掺杂区具有第一导电类型，且通道定义掺杂区具有第二导电类型，使位于通道定义掺杂区与井区间且未被通道定义掺杂区覆盖的基体掺杂区构成横向扩散金属氧化物半导体元件的通道。之后，在通道上形成栅极结构。由此，可避免因栅极结构的错位所造成的通道变化。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法，其包括：提供基板，该基板中具有井区，且该基板具有第一导电类型，而该井区具有第二导电类型；在该井区中形成基体掺杂区，以及在该基体掺杂区中形成通道定义掺杂区，该基体掺杂区具有该第一导电类型，且该通道定义掺杂区具有该第二导电类型，其中位于该通道定义掺杂区与该井区间且未被该通道定义掺杂区覆盖的该基体掺杂区构成该横向扩散金属氧化物半导体元件的通道；以及在该通道上形成栅极结构。