[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、和电子设备无效
申请号: | 200910204448.4 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN101714611A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 平井畅一 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、和电子设备。该薄膜晶体管包括由有机材料、氧化物材料或基于硅的材料形成的绝缘层;通过使用导电性氧化物材料而设置在绝缘层上的源电极和漏电极;覆盖绝缘层、源电极和漏电极的暴露表面的自组织膜;和设置在从源电极到漏电极之上且在设置有自组织膜的绝缘层上的半导体薄膜。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:由有机材料、氧化物材料或基于硅的材料形成的绝缘层;通过使用导电性氧化物材料而设置在绝缘层上的源电极和漏电极;覆盖绝缘层、源电极和漏电极的暴露表面的自组织膜;以及设置在从源电极到漏电极之上且在设置有自组织膜的绝缘层上的半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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