[发明专利]沟槽MOS晶体管的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200910201959.0 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102103998A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;陈正嵘;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOS晶体管的制备方法，其为在沟槽MOS晶体管的沟槽形成后，包括对沟槽进行离子注入在沟槽底部形成导电类型与体区相同的阱的步骤和在部分沟槽内壁表面和硅表面形成导电类型与体区相同的注入层的步骤，该注入层用于利用后续形成的接触孔将沟槽底部的阱与源极进行电连接。本发明还公开了一种沟槽MOS晶体管结构，其为在沟槽MOS晶体管的沟槽栅底部有导电类型与体区相同的阱，并且该阱与源极电连接。本发明的制备方法提高了所制备器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS晶体管的制备方法，其特征在于：在所述沟槽MOS晶体管的沟槽形成后，包括对所述沟槽进行离子注入在沟槽底部形成导电类型与体区相同的阱的步骤和在部分沟槽内壁表面和硅表面形成导电类型与体区相同的注入层的步骤，所述注入层用于利用后续形成的接触孔将所述沟槽底部的阱与源极进行电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910201959.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶体管
- 下一篇：用户行为数据分析方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
