[发明专利]沟槽MOS晶体管的结构及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽MOS晶体管的制备方法，其特征在于：在所述沟槽MOS晶体管的沟槽形成后，包括对所述沟槽进行离子注入在沟槽底部形成导电类型与体区相同的阱的步骤和在部分沟槽内壁表面和硅表面形成导电类型与体区相同的注入层的步骤，所述注入层用于利用后续形成的接触孔将所述沟槽底部的阱与源极进行电连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述离子注入步骤在沟槽形成后、牺牲氧化层生长前进行。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述离子注入步骤在牺牲氧化层生长后，所述牺牲氧化层去除前进行。

4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于：所述在沟槽底部进行形成阱的离子注入工艺后，还进行退火处理，以推进所形成的阱。

5.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于：所述在沟槽底部形成阱的离子注入工艺中，注入的离子剂量范围为：10¹²～10¹⁵原子/cm²，注入能量为：10～2000KeV。

6.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于：所述在部分沟槽内壁表面和硅表面形成注入层的工艺中，所注入离子与垂直轴的夹角为：1～80度，所注入的离子剂量大于10¹⁴原子/cm²，注入能量为1～100keV。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述退火处理的温度为：400～1200℃，时间为：10秒～10小时。

8.一种沟槽MOS晶体管结构，其特征在于：在所述沟槽MOS晶体管的沟槽栅底部有导电类型与体区相同的阱，并且所述阱与源极电连接。