[发明专利]用无掺杂氧化硅作为多晶硅帽层制作自对准接触孔的方法有效
| 申请号： | 200910201837.1 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102064131A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林钢;王函;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用无掺杂氧化硅作为多晶硅帽层制作自对准接触孔的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上淀积栅氧化层，在该栅氧化层上淀积多晶硅层；第二步，在多晶硅层上淀积无掺杂氧化硅帽层；第三步，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅电极；第四步，LDD注入；第五步，制备多晶硅的侧墙；第六步，源漏注入及快速热退火；第七步，在全硅片上制备磷硅玻璃PMD层；第八步，自对准接触孔刻蚀。采用该方法在源漏注入的同时就可以实现自对准的多晶硅掺杂，从而有利于实现自对准的双栅工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 作为 多晶 硅帽层 制作 对准 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种用无掺杂氧化硅作为多晶硅帽层制作自对准接触孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上淀积栅氧化层，在该栅氧化层上淀积多晶硅层；第二步，在多晶硅层上淀积无掺杂氧化硅帽层；第三步，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅电极；第四步，LDD注入；第五步，制备多晶硅的侧墙；第六步，源漏注入及快速热退火；第七步，在全硅片上制备磷硅玻璃PMD层；第八步，自对准接触孔刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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