[发明专利]横向高压MOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种横向高压MOS器件，通过在器件的漂移区内埋入一反型埋层而形成。本发明还公开了该横向高压MOS器件的制造方法，包括：在硅衬底上形成第一导电类型埋层、第一导电类型外延层以及一牺牲氧化层，采用光刻工艺确定漂移区中反型埋层的注入位置；以光刻胶为掩模进行第二导电类型杂质离子注入，形成一反型杂质区域；制作场氧化层，同时利用生长场氧化层的热过程对所述反型杂质进行激活和推进，形成漂移区中较浅的反型埋层；形成沟道区、源、漏、栅氧化层以及栅。本发明能改变器件漂移区中的电场分布，降低器件表面电场，提高器件的耐压性能和可靠性。

主权项

一种横向高压MOS器件，包括：一具有第一导电类型的埋层，形成在硅衬底上；一具有第一导电类型的外延层，形成在所述埋层上；一具有第二导电类型的沟道区，形成在所述外延层中；一具有第一导电类型的漏区，形成在所述外延层中，在所述漏区上形成一漏极；一漂移区，由处于所述沟道区和所述漏区间的所述外延层形成；一具有第一导电类型的源区，形成在所述沟道区中，在所述源区上形成一源极；一场氧化层，形成在所述漂移区上，并和漏区相接；一栅化层，形成在所述沟道区上，所述栅氧化层覆盖全部沟道区和部分漂移区并和所述场氧化层相连接；一栅，形成在栅氧化层上，所述栅覆盖全部所述栅氧化层和部分所述场氧化层；其特征在于：在所述漂移区内埋入一具有第二导电类型的反型埋层。