[发明专利]偏移侧墙及MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200910201201.7 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097307A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;张海洋;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种偏移侧墙及MOS晶体管的形成方法。偏移侧墙的形成方法，包括：建立刻蚀气体流量、偏移侧墙层和半导体衬底刻除厚度关系的数据库；在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在半导体衬底上形成偏移侧墙层，且偏移侧墙层包围栅极结构；根据偏移侧墙层的厚度，从数据库中选择刻蚀后对半导体衬底影响最小的气体流量对偏移侧墙层进行回刻蚀，形成偏移侧墙。本发明半导体衬底被刻蚀掉的深度小于10埃，改善了MOS晶体管结漏电的情况，提高了半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种偏移侧墙的形成方法，其特征在于，包括：建立刻蚀气体流量、偏移侧墙层和半导体衬底刻除厚度关系的数据库；在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在半导体衬底上形成偏移侧墙层，且偏移侧墙层包围栅极结构；根据偏移侧墙层的厚度，从数据库中选择刻蚀后对半导体衬底影响最小的气体流量对偏移侧墙层进行回刻蚀，形成偏移侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
