[发明专利]脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺与装置有效
| 申请号： | 200910200524.4 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101717901A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 高玉来;李仁兴;孔令鸿;龚永勇;刘正建;翟启杰 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C22F1/00 | 分类号： | C22F1/00;C22F3/00;C21D1/00;C21D9/52 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脉冲磁场处理非晶合金薄带材料的方法及其装置，属非晶材料晶化处理领域。本发明方法可通过设计的电路及作用线圈构成的脉冲磁场发生装置和加热设备，在普通热处理的同时导入脉冲磁场，实现脉冲磁场-普通热处理复合处理，被处理的非晶软磁材料在晶化温度以上的某一温度，经热处理完成晶化。本发明的专用装置包装有磁场线圈(配有水冷设备)、加热设备、脉冲电源、气氛保护系统、和温度控制系统。本发明中使用的脉冲电源参数为：输出电压U＝50～4800V，脉冲宽度200ms，作用频率f＝0.2～4Hz，脉冲磁场可产生的磁感应强度B＝0.03～3.2T，可实现的施加脉冲磁场条件下的最高加热温度为800℃。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 磁场 条件下 非晶薄带 热处理 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种脉冲磁场条件下非晶薄带热处理工艺，可实现单独用作普通热处理或脉冲磁场处理，也可实现普通磁场热处理的同时导入脉冲磁场，形成脉冲磁场-普通热处理复合处理，该热处理工艺的特征在于：热处理在保护气氛下进行，被处理的非晶软磁材料在室温到晶化温度Tx以上的某一温度，置于脉冲磁场发生装置中，经热处理实现非晶晶化，加热最高温度为800℃；所使用的脉冲电源参数为：输出电压U＝50～4800V，脉冲宽度200ms，作用频率f＝0.2～4Hz；脉冲磁场可产生的磁感应强度B＝0.03～3.2T。
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