[发明专利]双大马士革结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种双大马士革结构的形成方法，通孔形成之后，涂覆底部抗反射涂层BARC，并填充通孔；涂覆第一光阻胶PR，并对第一PR进行曝光、显影，形成第一光刻图案，其中，第一光刻图案中第一PR的宽度为沟槽的开口宽度；在第一光刻图案之上沉积低温化学气相沉积CVD氧化硅或低温等离子辅助化学气相沉积PECVD氧化硅，对低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅进行刻蚀，并刻蚀至与第一光刻图案中的第一PR相同的高度；将第一光刻图案剥离，在低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅中形成沟槽。采用该方法能够提高半导体器件的性能。

主权项

一种双大马士革结构的形成方法，该方法包括：在金属层之上依次沉积第一硬掩膜层和第一介质层，并对第一介质层进行刻蚀，形成通孔；涂覆底部抗反射涂层BARC，并填充通孔；涂覆第一光阻胶PR，并对第一PR进行曝光、显影，形成第一光刻图案，其中，第一光刻图案中第一PR的宽度为沟槽的开口宽度；在第一光刻图案之上沉积低温化学气相沉积CVD氧化硅或低温等离子辅助化学气相沉积PECVD氧化硅，对低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅进行刻蚀，并刻蚀至与第一光刻图案中的第一PR相同的高度；将第一光刻图案剥离，在低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅中形成沟槽，并将第一光刻图案之下的BARC剥离，对通孔底部的第一硬掩膜层进行刻蚀；沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀ECP工艺生长金属铜，并采用化学机械研磨CMP工艺将金属铜抛光至低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅的表面；对低温CVD氧化硅或PECVD氧化硅进行刻蚀，将BARC表面的低温CVD氧化硅或PECVD氧化硅去除，然后将第二硬掩膜层表面的BARC剥离；沉积第二介质层，并采用CMP工艺将第二介质层表面研磨至水平。