[发明专利]双大马士革结构的形成方法

权利要求书

1.一种双大马士革结构的形成方法，该方法包括：

在金属层之上依次沉积第一硬掩膜层和第一介质层，并对第一介质层进行刻蚀，形成通孔；

涂覆底部抗反射涂层BARC，并填充通孔；

涂覆第一光阻胶PR，并对第一PR进行曝光、显影，形成第一光刻图案，其中，第一光刻图案中第一PR的宽度为沟槽的开口宽度；

在第一光刻图案之上沉积低温化学气相沉积CVD氧化硅或低温等离子辅助化学气相沉积PECVD氧化硅，对低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅进行刻蚀，并刻蚀至与第一光刻图案中的第一PR相同的高度；

将第一光刻图案剥离，在低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅中形成沟槽，并将第一光刻图案之下的BARC剥离，对通孔底部的第一硬掩膜层进行刻蚀；

沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀ECP工艺生长金属铜，并采用化学机械研磨CMP工艺将金属铜抛光至低温CVD氧化硅或低温PECVD氧化硅的表面；

对低温CVD氧化硅或PECVD氧化硅进行刻蚀，将BARC表面的低温CVD氧化硅或PECVD氧化硅去除，然后将第二硬掩膜层表面的BARC剥离；

沉积第二介质层，并采用CMP工艺将第二介质层表面研磨至水平。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：在第一介质层之上沉积第二硬掩膜层；

当对第一介质层进行刻蚀时，进一步对第二硬掩膜层进行刻蚀，形成通孔。

3.根据2所述的方法，其特征在于，当通孔中所填充的BARC的上表面与第二硬掩膜层的表面具有相同的高度时，则第一光刻图案中PR的厚度为沟槽的深度；当所涂覆的BARC的高度高于第二硬掩膜层的表面时，则BARC的厚度和第一PR的厚度之和为沟槽的深度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积低温CVD氧化硅的方法为：在25℃至230℃的温度下，采用CVD工艺沉积氧化硅；

所述沉积低温PECVD氧化硅的方法为：在25℃至230℃的温度下，采用PECVD工艺沉积氧化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀低温CVD氧化硅的方法为：采用四氟化碳CF₄气体对低温CVD氧化硅进行干法刻蚀；

所述刻蚀低温PECVD氧化硅的方法为：采用CF₄气体对低温PECVD氧化硅进行干法刻蚀。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，第一介质层和第二介质层均为低K值电介质材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，第一介质层为低K值电介质材料，第二介质层包括碳氧化硅SiOC和低K值电介质材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，SiOC的厚度为50埃至300埃。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，K为2.5至4.2。